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９.３.２ 正向阻斷模式和觸發∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-27 01:09
９.３.２正向阻斷模式和觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300Pt碳化硅 713瀏覽量 -
10.1.10 憶阻器（Memristor）∈《集成電路產業全書》2022-03-27 01:07
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９.３.１ 正向導通模式∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-26 01:13
９.３.１正向導通模式９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi碳化硅 693瀏覽量 -
10.1.9 阻變隨機存儲器（RRAM）∈《集成電路產業全書》2022-03-26 01:11
ResistiveSwitchingRandomAccessMemory（RRAM）審稿人：北京大學蔡一茂https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCU存儲器 712瀏覽量 -
９.３ 晶閘管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-25 01:06
９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi3518EV300HiSiC 710瀏覽量 -
10.1.8 相變存儲器（PCRAM）∈《集成電路產業全書》2022-03-25 01:04
Phase-changeRandomAccessMemory審稿人：北京大學蔡一茂方亦陳https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、存儲器 628瀏覽量 -
10.1.7 自旋轉移力矩磁隨機存儲器（STT-MRAM）∈《集成電路產業全書》2022-03-24 18:31
Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂陳青鈺https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FP存儲器 840瀏覽量 -
９.２.４ 器件參數的溫度特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-24 18:29
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９.２.３ 開關特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-24 16:57
９.２.３開關特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK720開關 823瀏覽量 -
10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產業全書》2022-03-24 16:55
MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC存儲器 563瀏覽量