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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.1.12 硅基發光材料∈《集成電路產業全書》2021-12-31 02:01

    第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝
    集成電路 745瀏覽量
  • 5.3.1.2 雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 01:58

    5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3SiC中的點缺陷5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.2.1SiC
    SiC 1160瀏覽量
  • 9.2.1 晶體熱處理∈《集成電路產業全書》2021-12-31 01:57

    9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成
    集成電路 604瀏覽量
  • 5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 01:53

    5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.1.2雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3SiC中的點缺陷5.2.3擴展缺陷對SiC器
    SiC 1288瀏覽量
  • 9.2.2 晶體定向∈《集成電路產業全書》2021-12-31 01:51

    9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日
    集成電路 792瀏覽量
  • 5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 01:48

    5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:5.3.2載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.1.2雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生
    SiC 1259瀏覽量
  • 9.2.3 晶錠切斷工藝∈《集成電路產業全書》2021-12-31 01:47

    9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切
    集成電路 768瀏覽量