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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  半導體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實現超低接觸電阻的TLM驗證

  

  二維半導體因其原子級厚度和獨特電學性質，成為后摩爾時代器件的核心材料。然而，金屬-半導體接觸電阻成為限制器件性能的關鍵瓶頸。傳統二維半導體（如MoS?、黑磷）普遍存在高肖特基勢壘問題，導致載流子注入效率低下。近期發現的MoGe?P?單層因兼具高載流子遷移率（>103cm2V?1s?1）和適中間接帶隙（0.49eV），被視為理想溝道材料。本文通過第一性原理計算

  TLM 半導體 接觸電阻

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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應用 | 電阻率溫度轉折機制分析

  

  微機電系統（MEMS）傳感器技術已廣泛應用于汽車、醫療等領域，但在航空發動機等極端高溫環境（>500℃）中，傳統硅基傳感器因材料限制無法使用。碳化硅（SiC）因其高溫穩定性、高集成性成為理想替代材料，但其關鍵材料參數（如襯底熱膨脹系數、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統研究，導致傳感器設計階段難以評估溫度效應。本研究結合Xfilm埃利在線四探針方阻儀針對4H-SiC

  mems芯片 電阻率 薄膜電阻

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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針薄膜測厚技術 | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測量實踐

  

  平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實時管理是確保產品質量的關鍵因素。傳統方法如機械觸針法、顯微法和光學法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材料等問題。本研究開發了一種基于四探針法的導電薄膜厚度測量儀，其原理是通過將已知的薄膜材料電阻率除以方阻來確定厚度，并使用XFilm平板顯示在線方阻測試儀作為對薄膜在線方阻實時檢測，以提供數據支撐。旨在實現非破

  FPD 測厚 薄膜

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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針法 | 測量射頻（RF）技術制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

  

  SnO?:F薄膜作為重要透明導電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術制備的SnO?:F薄膜為研究對象，通過鋁PAD法與四探針法開展表面電阻測量研究。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度檢測能力，可為此類薄膜電學性能測量提供可靠技術保障。下文將重點分析四探針法的測量原理、實驗方法與結果，

  RF 電阻 薄膜

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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  低維半導體器件電阻率的測試方法

  

  電阻率的測試方法多樣，應根據材料的維度（如塊體、薄膜、低維結構）、形狀及電學特性選擇合適的測量方法。在低維半導體材料與器件的研發和生產中，電阻率作為反映材料導電性能的關鍵參數，其精確測量對器件性能評估和質量控制具有重要意義。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度和智能化特性，可為低維半導體材料的電學性能檢測提供了可靠解決方案。下文將系統闡述常規四探針法、改進的

  半導體器件 測試 電阻率

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• 發布了文章 2025-09-29 13:43

  基于改進傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導體界面電阻分析

  

  傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測量技術，廣泛應用于半導體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統的TLM模型基于理想歐姆接觸假設，忽略了界面缺陷、勢壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導體如氧化鋅中，這一簡化可能導致關鍵參數的顯著偏差。ZnO因其寬禁帶、高激子結合能等特性，在薄膜晶體管、傳感器和存儲器等器件中具有重要應用價值，其界面特性的準確表征尤為

  TLM 半導體 電阻

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• 發布了文章 2025-09-29 13:04

  判定高電阻率硅的導電類型：基于氫氟酸HF處理結合擴展電阻SRP分析的高效無損方法

  

  高電阻率硅因其低損耗和高性能特點，在電信系統中的射頻（RF）器件應用中備受關注。尤其是作為絕緣硅（SOI）技術的理想基板，高電阻率硅的需求日益增加。然而，確定高電阻率硅的導電類型（n型或p型）一直是一個挑戰。傳統方法如表面光電壓（SPV）法受限于表面條件和低載流子濃度。本文提出了一種結合氫氟酸（HF）處理與擴展電阻分布分析（SRP）的新方法，通過借助Xfil

  導電 電阻 高電阻

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• 發布了文章 2025-09-29 13:03

  面向5G通信應用：高阻硅晶圓電阻率熱處理穩定化與四探針技術精準測量

  

  隨著5G通信技術的快速發展，高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測器等領域的應用需求激增。然而，高阻硅片電阻率的快速準確測量仍面臨技術挑戰。四點探針法（4PP）因其高精度、寬量程等特點被視為優選方法，但其測量結果易受時間因素影響，導致數據不穩定。本研究基于Xfilm埃利四探針方阻儀的系統性測量，首次觀察到高阻硅片電阻率的時間依賴性行為，揭示表面氧化引起的界面

  5G通信 晶圓 測量 電阻

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• 發布了文章 2025-09-29 13:03

  基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準測量

  

  氧化物半導體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統場效應遷移率（μFE）的測量常因寄生電阻（Rs/d）和通道尺寸偏差（ΔL/ΔW）導致低估本征遷移率（μFEi）。本文通過傳輸線法（TLM），結合Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀，在多晶In?O?-TFT中分離通道電阻R

  TLM 電阻 薄膜晶體管

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• 發布了文章 2025-09-29 13:03

  IEC新標準賦能石墨烯產業化：范德堡法與在線四探針法實現薄層電阻精準測量

  

  石墨烯因其超高的載流子遷移率、機械強度和化學穩定性，被視為下一代電子器件、傳感器及能源材料的核心候選。但其產業化面臨關鍵挑戰：不同合成方法（如CVD、機械剝離）導致材料性能差異顯著，亟需國際標準確保測量的一致性與可重復性。為此，國際電工委員會（IEC）發布了IECTS62607-6-7（范德堡法）和IECTS62607-6-8（在線四探針法），旨在規范大面積

  傳感器 測量 電阻 石墨烯

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