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• 發布了文章 2023-09-25 15:31

  如何測試光耦合器（查找不良光耦合器）

  

  光耦合器： 光耦合器、光電耦合器或光隔離器是一種利用光在兩個隔離電路之間傳輸電信號的元件。光隔離器可防止高電壓影響接收信號的系統。光耦合器有四種常見類型，每種類型都具有紅外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。這四種光耦合器分別稱為：光電晶體管、光電達林頓、光電SCR 和光電雙向可控硅，如下所示。

  光耦 光耦合器 測試 電路

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• 發布了文章 2023-09-25 11:40

  使用晶體管的邏輯門條件

  

  介紹： 邏輯門是任何數字系統的基本構建塊。它是一種具有一個或多個輸入且只有一個輸出的電子電路。輸入和輸出之間的關系是基于一定的邏輯的。 基于此，邏輯門被命名為與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門、異或非門。在大多數邏輯門中，低狀態大約為零伏?(0?V)，而高狀態大約為正五伏?(+5?V)。 現在，我將展示使用?NPN?和?PNP?晶體管的邏輯門輸出。

  數字系統 晶體管 邏輯門

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• 發布了文章 2023-09-25 11:29

  梅賽德斯-奔馳將部署首個高功率電動汽車充電站

  

  梅賽德斯-奔馳宣布將于10月在佐治亞州亞特蘭大、中國成都和德國曼海姆開設首個高功率電動汽車（EV）充電站。這一舉措是梅賽德斯-奔馳全球充電基礎設施計劃的一部分，旨在擴大電動汽車充電網絡的覆蓋范圍。根據計劃，到2024年底，梅賽德斯-奔馳將在全球范圍內增加2000多個大功率充電點，并計劃在未來的十年內創建2000多個充電中心，提供超過10,000個充電點。

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• 發布了文章 2023-09-25 11:03

  如何識別變壓器的輸入側和輸出側

  

  介紹： 變壓器是電氣系統中最常見的設備之一，用于連接在不同電壓下運行的電路。 這些通常用于需要將交流電壓從一種電壓電平轉換為另一種電壓電平的應用。 根據電氣設備或裝置或負載的要求，可以通過在交流電路中使用變壓器來降低或提高電壓和電流。 各種應用使用各種各樣的變壓器，包括電源、儀器儀表和脈沖變壓器。

  變壓器 電氣系統 設備

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• 發布了文章 2023-09-21 14:08

  IGBT的驅動電路及短路保護

  

  絕緣柵雙極晶體管（以下簡稱IGBT）是一種復合半導體器件，融合了MOSFET的快速開關能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅動電路和有利的熱特性等優點，同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等優勢。因此，IGBT是一種理想的開關器件，可以替代GTR，廣泛應用于各種需要具備關閉能力的應用領域，如各種固態電源供應系統。

  IGBT IGBT驅動 短路保護 驅動電路

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• 發布了文章 2023-09-21 13:48

  如何測試 NPN 和 PNP 晶體管

  

  介紹： 晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發射極（E）?，F在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。

  NPN型 pnp型 晶體管 檢測

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• 發布了文章 2023-09-20 15:09

  如何用萬用表測試MOSFET

  

  MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。

  IGBT MOSFET 功率器件 測試

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• 發布了文章 2023-09-20 15:02

  IGBT在電磁爐中的應用及解決方案

  

  分立式 IGBT 是現代基于逆變器的電磁烹飪產品的首選電源開關。隨著能源成本持續上升以及消費者對更小型烹飪解決方案的需求增加，IGBT 技術必須不斷發展以滿足這些需求。感應加熱的基本原理由邁克爾·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年發現，并由海因里?！惔?(Heinrich Lenz) 進一步發展。

  IGBT MOSFET 電磁爐

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• 發布了文章 2023-09-19 09:52

  什么是變頻器（VFD）？

  

  IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類似的較慢開關組件。SCR 的優勢在于，其設計更簡單，在輸入電壓質量可變的情況下更加穩健，并且成本相對較低。然而，正如有人提到逆變器上 IGBT 的較高載波頻率可能會導致問題一樣，整流器前端的 SCR 頻率較低也會導致問題。前端的這些較慢的開關頻率可能會導致電壓源中出現過多的諧波失真。

  IGBT 變頻器 逆變器

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• 發布了文章 2023-09-18 14:58

  IGBT的應用場景與應用實例

  

  自20世紀80年代末開始工業應用以來，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）經歷了快速發展。它不僅取代了工業應用中的MOS、GTR等器件，也逐漸取代了消費電子應用中廣泛使用的BJT、MOS等功率器件，甚至在原本由SCR、SCR為主的大功率領域占有一席之地。GTO、IGBT作為新型功率半導體器件的代表，是國際上廣泛認可的第三次電力電子技術革命的典型產物。

  IGBT MOSFET 晶體管

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