動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:28

  一文讀懂雙85測試時間以及等效實際壽命

  

  雙85測試在與世界標準接軌的今天，幾乎所有工業(yè)產(chǎn)品都需要經(jīng)歷可靠性模擬環(huán)境試驗，以驗證產(chǎn)品在各種條件下的正常運行。在這些試驗中，恒溫恒濕試驗（如高低溫試驗、高低溫濕熱試驗）和冷熱沖擊試驗扮演著至關重要的角色。特別是在恒溫恒濕試驗中，以85℃溫度和85%濕度的條件（俗稱雙85試驗）是應用最廣泛的試驗條件之一。恒溫恒濕試驗箱為什么是85℃，不是95℃，不是60℃

  led 沖擊試驗 測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 15:26

  高速光耦與普通光耦的不同點以及特性

  

  光耦合器在開關電源中的重要性光耦合器，作為一種電子元件，其在開關電源設計中扮演著至關重要的角色，主要負責實現(xiàn)電路間的電氣隔離，以確保電路的穩(wěn)定性和安全性。光耦合器的分類1.非線性光耦非線性光耦，例如4N系列，其電流傳輸特性曲線呈現(xiàn)出明顯的非線性，這使得它們在傳輸開關信號時表現(xiàn)出色，但在模擬信號傳輸方面則不太適用。2.線性光耦相對地，線性光耦，如PC817A系

  光耦 光耦合器 開關電源 高速光耦

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:04

  VSCEL激光器在汽車領域的應用及其AEC-Q102認證的重要性

  

  VSCEL技術簡述垂直腔面發(fā)射激光器（VSCEL），這類型的半導體激光器件因其垂直出射激光的特性和高效率而被廣泛認可。VSCEL的操作涉及電流的注入，這導致電子和空穴在激光器的激活區(qū)域重合，從而產(chǎn)生光子。在激光器內(nèi)部，這些光子經(jīng)過多次反射和放大，最終通過DBR（分布式布拉格反射鏡）發(fā)射出高度相干的激光束。VSCEL的核心優(yōu)勢VSCEL憑借其高效率、體積小巧、

  AEC 激光器 認證

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:00

  可靠性測試：HAST與PCT的區(qū)別

  

  HAST測試的核心宗旨HAST測試的核心宗旨宗旨：HAST測試的主要宗旨是通過模擬極端環(huán)境條件，加速半導體元器件的失效過程，以此來驗證元器件在高溫、高濕、高壓條件下的可靠性。這種測試方法能夠有效縮短測試周期，快速揭示產(chǎn)品潛在的缺陷，例如材料分層、開裂、短路等問題。失效原因：HAST測試中的失效原因主要包括濕氣滲透導致的材料分解、結合力減弱、腐蝕等現(xiàn)象。具體表

  PCT 可靠性測試

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 13:24

  RoHS指令實施狀況對比

  

  在全球范圍內(nèi)，隨著數(shù)字化和電子設備的迅速普及，RoHS（限制使用某些有害物質）倡議已成為確保電子電氣產(chǎn)品環(huán)保合規(guī)性的重要標準。這一倡議不僅在歐盟得到實施，而且在全球多個國家和地區(qū)得到了響應和采納。美國加州RoHS合規(guī)性美國加州RoHS法案（SB20/SB50）自2007年1月1日起生效，其限制物質范圍較歐盟RoHS窄，主要限制鉛、汞、鎘和六價鉻。值得注意的是

  RoHS 電子設備

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 13:23

  電子背散射衍射：科學原理與技術進展

  

  樣品制備的關鍵要素電子背散射衍射技術（EBSD）是一種用于分析材料微觀結構的強大工具，而樣品的制備質量直接影響分析結果的準確性。以下是制備樣品時需滿足的關鍵要素：表面完整性：樣品表面應保持平整，避免在制備過程中造成損傷。晶界保護：在制備過程中，應盡量減少對晶粒間晶界的破壞。應力層控制：樣品表面應無應力層，以確保衍射數(shù)據(jù)的準確性。樣品制備的工藝流程1.機械拋光

  數(shù)據(jù)采集 機械 材料

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:50

  IGBT驅動光耦：功率轉換的控制樞紐

  

  IGBT在電力電子中的關鍵作用在當今的電力電子技術中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、可再生能源系統(tǒng)等高功率應用中發(fā)揮著關鍵作用。IGBT融合了MOSFET的高輸入阻抗特性和BJT的高電流承載能力，使其在功率控制領域脫穎而出。IGBT驅動光耦是一種基于光信號實現(xiàn)輸入與輸出電氣隔離的半導體器件。

  IGBT 光耦 功率轉換 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:49

  FIB技術在芯片失效分析中的應用

  

  半導體行業(yè)的技術革新與挑戰(zhàn)在半導體行業(yè)，技術的快速進步帶來了集成電路尺寸的縮小和功能的增強。但同時，這也帶來了新的挑戰(zhàn)，尤其是在故障定位和分析領域。為了應對這些挑戰(zhàn)，科研人員開發(fā)了一系列尖端分析技術，其中聚焦離子束（FIB）技術在故障分析中扮演了關鍵角色。FIB技術的工作原理與優(yōu)勢聚焦離子束技術采用液態(tài)金屬鎵作為離子源，通過施加負電壓場將鎵離子束引出，實現(xiàn)對

  fib 失效分析 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:47

  跌落測試指南：設定條件與遵循標準

  

  跌落測試概述跌落測試是模擬產(chǎn)品在意外跌落事件中的表現(xiàn)，以此來評估產(chǎn)品在受到?jīng)_擊時的性能和穩(wěn)定性。這種測試對于指導產(chǎn)品的設計、生產(chǎn)過程和質量控制具有決定性的作用。通過重現(xiàn)產(chǎn)品在實際應用中可能遇到的各種機械應力，跌落測試能夠檢驗產(chǎn)品對外部環(huán)境變化的適應性。對于制造商而言，這項測試是評估產(chǎn)品耐用性和在多變環(huán)境下保持安全、可靠性能的關鍵工具。通過發(fā)現(xiàn)并改進產(chǎn)品設計中

  測試 跌落試驗

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 14:46

  EBSD在材料科學中的優(yōu)勢分析

  

  在材料科學中，對晶體結構和晶粒取向的深入研究對于揭示材料性能具有決定性作用。傳統(tǒng)技術，如X光衍射和中子衍射，雖然能夠提供宏觀層面的晶體結構和取向信息，但它們無法將這些信息與微觀結構直接關聯(lián)，也無法詳細描述多相和多晶材料中不同相位和晶粒取向的空間分布。同時，透射電鏡（TEM）技術雖然能夠對局部區(qū)域的晶體結構和取向進行分析，但其樣品制備過程復雜，且通常只能提供有

  晶體 材料

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