動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-06-24 14:31
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發(fā)布了文章 2025-06-24 14:06
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發(fā)布了文章 2025-06-23 11:31
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發(fā)布了文章 2025-06-23 11:24
導(dǎo)熱系數(shù)的測量技術(shù):方法、原理與應(yīng)用
導(dǎo)熱系數(shù)的定義與重要性導(dǎo)熱系數(shù)是衡量材料熱傳導(dǎo)能力的關(guān)鍵參數(shù),屬于材料熱物性的重要指標(biāo)。它在工程、建筑、電子等諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。從定義來看,導(dǎo)熱系數(shù)表征了在穩(wěn)定傳熱條件下,單位時間內(nèi)通過單位厚度、單位面積的材料,且兩側(cè)溫差為1攝氏度時的熱量傳遞量。其單位為瓦每米度(W/(m·K)),在實際應(yīng)用中,攝氏度和開爾文溫差可互換使用,因為它們的溫差單位是等價2.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-06-20 23:08
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發(fā)布了文章 2025-06-19 14:21
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用,涵蓋了從材料生長到質(zhì)量控制的多個環(huán)節(jié)。外延生長監(jiān)測:確保高質(zhì)量材料基礎(chǔ)外延生長是第三代半導(dǎo)體材料制備的核心環(huán)節(jié)之一。碳化硅和氮化鎵通常通過化學(xué)氣相沉積(CVD)733瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-06-19 14:14
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發(fā)布了文章 2025-06-18 14:49