動態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14
驅(qū)動SiC MOSFET有多容易?
得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢,SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對驅(qū)動設(shè)計也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優(yōu)勢,驅(qū)動芯片的選擇需要著重考慮如下幾個方面:1更高的軌到軌電壓IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而946瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-12 08:14
CoolSiC™ MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場,屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年,碳化硅市場經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展,特別是在全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,例如,光伏、儲能、電動汽車和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-11 08:14
固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時代將至
機電繼電器和斷路器作為一種成熟的技術(shù)已廣為人知,大量應(yīng)用在各種場合,但是它們?nèi)匀淮嬖谝恍┕逃腥毕荨1M管采用基于半導(dǎo)體的固態(tài)技術(shù)可以解決這些問題,但設(shè)計中又會面臨一系列挑戰(zhàn)。到底,什么才是正確的解決方案呢?目前,高壓繼電器和斷路器大部分都是機電式的。除了人們百年來已經(jīng)習(xí)慣使用繼電器和斷路器外,工程領(lǐng)域也普遍認為,半導(dǎo)體技術(shù)不適合應(yīng)用于高壓開關(guān)。但近年的功率半導(dǎo)1.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-06 08:14
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發(fā)布了文章 2024-07-05 08:14
研討會報名丨電動汽車和電動公交/貨車(eCAV)充電與乘用車充電的對比及其對功率半導(dǎo)體的影響
線上研討會時間:2024年7月15日下午3點會議概述隨著首批商用長途電動卡車的推出以及首個兆瓦級充電系統(tǒng)(MCS)測試的成功完成,電動巴士和貨車的充電問題已成為行業(yè)內(nèi)頻繁討論的話題。在本次網(wǎng)絡(luò)研討會上,我們將探討電動卡車和巴士的充電情況,及其與乘用車充電的異同。我們將特別討論充電在兆瓦級范圍內(nèi)對功率半導(dǎo)體選型的影響,以及英飛凌在此領(lǐng)域的定位。掃描下方二維碼立879瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-07-05 08:14
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發(fā)布了文章 2024-07-04 08:14
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發(fā)布了文章 2024-07-03 08:14
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發(fā)布了文章 2024-06-30 08:14
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發(fā)布了文章 2024-06-28 08:14