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IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器:TLP155E

2012年03月13日 14:03 電子發(fā)燒友網 作者:灰色天空 用戶評論(0

  TLP155E是一款SO6封裝IC耦合器,能夠直接驅動一個小容量IGBT或功率MOSFET。保證傳輸延時為200 ns(最大值),能夠通過高速脈寬調制(PWM)驅動IGBT/功率MOSFET。這款產品的保證傳輸延遲偏差為85 ns(最大值),有助于縮短死區(qū)時間,并提高變頻器、PDP保持電路等的效率。TLP155E采用小型SO6封裝,因此其安裝面積比現有型號TLP705(SDIP6)小30%左右,同時符合國際安全標準的強化絕緣等級。本產品可用于各種產品,包括工業(yè)設備、數字家用電器、測量設備和控制設備。

  

小型高速IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器產品照片: TLP155E.

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  特征

  傳輸延時: tpLH,tpHL=200ns(最大值)

  傳輸延時變化: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)

  傳輸延遲偏差: tpsk=85ns(最大值)

  圖騰柱輸出

  最高輸出電流: IOP=±0.6A

  輸入電流: IFLH=7.5mA(最大值)

  耐壓: BVs=3750Vrms

  應用

  PDP

  通用變頻器

  MOSFET/IGBT柵極驅動

  變頻空調

  輪廓圖

  

小型高速IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器輪廓說明圖: TLP155E.

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  電路實例

  PDP保持電路

  

小型高速IGBT/MOSFET柵極驅動耦合器電路實例說明圖: TLP155E.

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( 發(fā)表人:灰色天空 )

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