第一種:
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導通延遲時間，從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時間。
Tr：上升時間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）?
第二種：（第一種的變形）
密勒效應時間（開關時間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
第三種：
以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應）假定你希望在0.2us內使管子開通，估計總時間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開通和關短的各0.2us里有電流，其他時間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅動芯片不能輸出這個峰值，管子的開通就會變慢。
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