1.概述W631GG6LB是1G位DDR3 SDRAM，組織為8388608個(gè)字? 8個(gè)銀行? 16位。該器件實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1866 Mb/sec/引腳（DDR3-1866）的高速傳輸速率，適用于各種應(yīng)用。W631GG6LB分為以下速度等級：-11、-12、12I、-15和15I。-11速度等級符合DDR3-1866（13-13-13）規(guī)范。-12和12I速度等級符合DDR3-1600（11-11-11）規(guī)范（12I工業(yè)級，保證支持-40°C≤TCASE≤95°C）。-15和15I速度等級符合DRR3-1333（9-9-9）規(guī)范（15I工業(yè)等級，保證支持-40°C≤TCASE≤95°C）。W631GG6LB的設(shè)計(jì)符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM功能，如支持的CAS#、可編程的CAS#寫入延遲（CWL）、ZQ校準(zhǔn)、片上終止和同步重置。所有的控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入被鎖存在差分時(shí)鐘的交叉點(diǎn)（CK上升和CK#下降）。在源同步刷新中，所有I/O都與差分DQS-DQS#對同步。
2.特點(diǎn)? 電源：VDD，VDDQ=1.5V±0.075V? 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)：每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸? 八家內(nèi)部銀行同時(shí)運(yùn)營? 8位預(yù)取架構(gòu)? CAS延遲：6、7、8、9、10、11和13? 突發(fā)長度8（BL8）和突發(fā)斬波4（BC4）模式：通過模式寄存器（MRS）固定或可選擇OnThe-Fly（OTF）? 可編程讀突發(fā)排序：交錯或半字節(jié)順序? 雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS和DQS#）與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收? 邊緣與讀取數(shù)據(jù)對齊，中心與寫入數(shù)據(jù)對齊? DLL將DQ和DQS轉(zhuǎn)換與時(shí)鐘對齊? 差分時(shí)鐘輸入（CK和CK#）? 在每個(gè)正CK邊緣、數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼上輸入的命令都參考差分?jǐn)?shù)據(jù)選通對的兩個(gè)邊緣（雙倍數(shù)據(jù)速率）? 發(fā)布具有可編程附加延遲（AL=0、CL-1和CL-2）的CAS，以提高命令、地址和數(shù)據(jù)總線效率? 讀取延遲=加性延遲加CAS延遲（RL=AL+CL）? 讀取和寫入突發(fā)的自動預(yù)充電操作? 刷新、自刷新、自動自刷新（ASR）和部分陣列自刷新（PASR）? 預(yù)充電斷電和主動斷電? 寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼（DM）? 每個(gè)工作頻率的可編程CAS寫入延遲（CWL）? 寫入延遲WL=AL+CWL? 用于讀出預(yù)定義系統(tǒng)定時(shí)校準(zhǔn)位序列的多用途寄存器（MPR）
