--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 2個(gè)P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品型號:FW103-TL-E-VB
絲印:VBA4338
品牌:VBsemi
參數(shù):2個(gè)P溝道場效應(yīng)晶體管,工作電壓-30V,最大電流-7A,導(dǎo)通電阻RDS(ON)=35mΩ(@VGS=10V,VGS=20V),閾值電壓Vth=-1.5V
封裝:SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明:FW103-TL-E-VB是VBsemi品牌的產(chǎn)品,采用SOP8封裝,包含2個(gè)P溝道場效應(yīng)晶體管。其工作電壓為-30V,最大電流為-7A,導(dǎo)通電阻在不同電壓下分別為35mΩ(@VGS=10V)和35mΩ(@VGS=20V),閾值電壓為-1.5V。
應(yīng)用簡介:FW103-TL-E-VB適用于多種電路模塊,特別適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. 電源管理模塊:由于其較高的負(fù)載電流和適用的工作電壓范圍,F(xiàn)W103-TL-E-VB可用于電源管理模塊,如DC-DC變換器和開關(guān)電源,用于穩(wěn)定、調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)換電源。
2. 電池保護(hù)模塊:P溝道結(jié)構(gòu)使其適用于電池保護(hù)模塊,如鋰電池保護(hù)板,可實(shí)現(xiàn)對電池的過充、過放和短路保護(hù),提高電池的安全性和使用壽命。
3. 逆變器模塊:在逆變器和功率放大器等應(yīng)用中,F(xiàn)W103-TL-E-VB可用作功率開關(guān)管,實(shí)現(xiàn)對電能的逆變和放大,廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動器等領(lǐng)域。
4. 電源開關(guān)模塊:由于其高負(fù)載電流和低導(dǎo)通電阻特性,F(xiàn)W103-TL-E-VB可用于電源開關(guān)模塊,如電源開關(guān)、電源分配器等,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 汽車電子模塊:在汽車電子系統(tǒng)中,F(xiàn)W103-TL-E-VB可用于車載電源管理、驅(qū)動器和控制器,提高汽車電子系統(tǒng)的性能和可靠性。
這些應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了電源管理、電池保護(hù)、逆變器、電源開關(guān)和汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域,F(xiàn)W103-TL-E-VB可為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的電源管理和功率控制功能,推動各領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用創(chuàng)新。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛