--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號: E3P303-VB
絲印: VBA4338
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 2個P—Channel溝道
- 電壓: -30V
- 電流: -7A
- RDS(ON): 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -1.5V
封裝: SOP8

應(yīng)用簡介:
E3P303-VB是一款具有2個P—Channel溝道的功率MOSFET,適用于負(fù)電壓環(huán)境下的高功率應(yīng)用。
**領(lǐng)域和模塊應(yīng)用示例:**
1. **電源逆變器**: 用于電源逆變器中的負(fù)電壓轉(zhuǎn)換和電流控制,提供穩(wěn)定的負(fù)電壓輸出和高效的能量利用,廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)和工業(yè)電源等領(lǐng)域。
2. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,用于電源開關(guān)和反向保護(hù),提供高效的能量轉(zhuǎn)換和可靠的電源控制,適用于電動汽車、儲能系統(tǒng)和太陽能電池組等設(shè)備。
3. **車載電子**: 適用于車載電子系統(tǒng)中的電源管理和電動機(jī)控制,提供高功率輸出和可靠的電流保護(hù),適用于電動汽車、混合動力車和電動摩托車等交通工具。
4. **工業(yè)控制**: 用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源開關(guān)和負(fù)載驅(qū)動,提供可靠的功率開關(guān)和電流保護(hù),適用于工業(yè)自動化、機(jī)器人和物流設(shè)備等領(lǐng)域。
5. **航空航天**: 在航空航天領(lǐng)域中,用于電源管理和電路保護(hù),提供高可靠性和耐高溫性能,適用于衛(wèi)星、導(dǎo)航系統(tǒng)和航空電子設(shè)備等應(yīng)用。
6. **醫(yī)療設(shè)備**: 在醫(yī)療設(shè)備中,用于負(fù)電壓電源管理和電流控制,提供穩(wěn)定的電源輸出和精確的電流調(diào)節(jié),適用于醫(yī)療成像、生命支持系統(tǒng)和醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備等場景。
E3P303-VB的負(fù)電壓設(shè)計和高性能特性使其成為各種領(lǐng)域負(fù)電壓功率控制系統(tǒng)中的理想選擇,推動著超智能時代的發(fā)展。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12