国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

DMP3130L-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

型號: DMP3130L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:DMP3130L-VB

絲印:VB2355

品牌:VBsemi

**參數說明:**
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 額定溝道電壓(VDS):-30V
- 額定溝道電流(ID):-5.6A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1V

**封裝:**
SOT23

**應用簡介:**
DMP3130L-VB是一款P—Channel溝道的場效應晶體管(FET),適用于SOT23封裝。其主要特性包括較低的漏極-源極電阻和適用于負載開關等應用。

**領域和模塊應用:**
1. **電源管理模塊:** 由于其P—Channel溝道類型和適中的電流能力,DMP3130L-VB可以用于電源管理模塊中的負載開關,以實現有效的電源控制。
 
2. **電流控制模塊:** 適用于需要P—Channel MOSFET的電流控制模塊,例如電流源和電流鏡等電路。

3. **通用放大器模塊:** 在需要P—Channel MOSFET的通用放大器電路中,該器件也可能發揮作用。

請注意,具體的應用需求和設計要求可能需要詳細的電路設計和參數匹配。在使用前,請仔細查閱型號的數據手冊和應用指南。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    419瀏覽量