国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

DMG3415UFY4-7-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: DMG3415UFY4-7-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**DMG3415UFY4-7-VB**

- **絲印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - 封裝類型:SOT23
 - 溝道類型:P—Channel
 - 最大承受電壓:-30V
 - 最大漏極電流:-5.6A
 - 開態(tài)電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-1V

- **應(yīng)用簡介:**
 DMG3415UFY4-7-VB 是一款 P—Channel 溝道功率 MOSFET,封裝采用 SOT23。其特性包括較低的開態(tài)電阻和適用于負載開關(guān)和功率管理應(yīng)用。

- **詳細參數(shù)說明:**
 1. **封裝類型(Package Type):** SOT23,這是一種小型表面貼裝封裝,適合密集的電路板設(shè)計。
 2. **溝道類型(Channel Type):** P—Channel,表示這是一款 P 溝道型 MOSFET。
 3. **最大承受電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -30V,這是該器件可承受的最大漏極電壓。
 4. **最大漏極電流(Maximum Drain Current):** -5.6A,表示最大可通過的漏極電流。
 5. **開態(tài)電阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,表示在給定的柵源電壓下,開態(tài)電阻的最大值。
 6. **閾值電壓(Threshold Voltage):** -1V,是器件開始導(dǎo)通的柵源電壓。

- **應(yīng)用領(lǐng)域:**
 1. **負載開關(guān)(Load Switching):** 由于其 P 溝道性質(zhì)和適中的電流容量,適用于負載開關(guān)電路,例如電源管理單元(PMU)。
 2. **功率管理模塊(Power Management Modules):** 用于構(gòu)建功率管理模塊,如電源開關(guān)和電流控制器。

- **模塊應(yīng)用舉例:**
 1. **電源開關(guān)模塊:** DMG3415UFY4-7-VB 可以用于設(shè)計緊湊型電源開關(guān)模塊,適用于各種便攜設(shè)備。
 2. **電源管理單元(PMU):** 在移動設(shè)備中,作為 PMU 的一部分,控制電源的開關(guān),提供有效的功耗管理。

請注意,以上僅為對給定參數(shù)的一般解釋和應(yīng)用建議,具體設(shè)計時需要進一步考慮電路需求和系統(tǒng)規(guī)格。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    419瀏覽量