--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT223封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**NTF5P03T3G-VB**
**絲?。?* VBJ2456
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):** SOT223;P—Channel溝道, -40V;-6A;RDS(ON)=42mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=-0.83V
**封裝:** SOT223
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **溝道類型:** P—Channel
- **最大承受電壓:** -40V
- **最大電流:** -6A
- **導(dǎo)通電阻:** 42mΩ(在VGS=10V時(shí)),35mΩ(在VGS=20V時(shí))
- **閾值電壓:** -0.83V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
該器件適用于需要負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率逆變的模塊,提供可靠的 P 溝道功率開(kāi)關(guān)功能。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于電源管理、電池保護(hù)、和 DC-DC 變換器。
**作用:**
- 提供高效的 P 溝道功率開(kāi)關(guān)功能。
- 適用于需要負(fù)載開(kāi)關(guān)和功率逆變的應(yīng)用。
**使用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源管理模塊:** 用于構(gòu)建高效的電源開(kāi)關(guān),穩(wěn)定輸出電壓。
2. **電池保護(hù)模塊:** 在電池管理系統(tǒng)中,用于實(shí)現(xiàn)快速的電池?cái)嗦繁Wo(hù)。
3. **DC-DC 變換器模塊:** 適用于直流到直流的電能轉(zhuǎn)換,提供高效的能量傳輸。
**使用注意事項(xiàng):**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過(guò)規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **極性注意:** 注意 P 溝道器件的負(fù)電壓特性。
3. **靜電防護(hù):** 在處理和安裝時(shí)采取防靜電措施,以免損壞器件。
如有需要進(jìn)一步了解或有其他問(wèn)題,請(qǐng)告訴我。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛