--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SC70-3封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號:** APM1403SC-TRL-VB
- **絲印:** VBK2298
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SC70-3
#### 參數(shù):
- **溝道類型:** P—Channel
- **最大溝道電壓:** -20V
- **最大持續(xù)電流:** -3A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON)=98mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- **閾值電壓:** Vth=-0.6~-2V

### 應(yīng)用簡介
該產(chǎn)品是一款P-溝道場效應(yīng)晶體管(P-Channel MOSFET),具有負(fù)電壓特性,適用于要求電源極性反向的電路設(shè)計。
### 產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電源逆變器:** 用于電源逆變器模塊,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,適用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等。
2. **電池保護(hù):** 在電池管理系統(tǒng)中,用于電池的充放電保護(hù),防止過充、過放電。
3. **開關(guān)電源:** 在低功耗、小型電源模塊中,用于開關(guān)電源的控制,提高電源效率。
4. **電流控制:** 可用于電流控制模塊,保護(hù)電路中的其他元件,確保電路穩(wěn)定運行。
### 使用注意事項
1. **電壓方向:** 由于為P-溝道類型,注意正確連接,避免反接。
2. **電流限制:** 在規(guī)定的電流范圍內(nèi)使用,避免超過最大持續(xù)電流,以防止過熱和損壞。
3. **溫度控制:** 確保在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用,以維持器件的性能和壽命。
4. **靜電防護(hù):** 在操作過程中采取靜電防護(hù)措施,避免靜電損害。
5. **閾值電壓:** 注意閾值電壓范圍,確保在適當(dāng)?shù)碾妷簵l件下使用。
通過合理應(yīng)用和注意事項的遵守,APM1403SC-TRL-VB可在各種電源和電池管理系統(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,提高系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12