--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): IRFR1010ZTRPBF-VB
絲印: VBE1606
品牌: VBsemi
參數(shù): TO252;N—Channel溝道,60V;110A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.8V;
封裝: TO252
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **型號(hào)**: IRFR1010ZTRPBF-VB
- **絲印**: VBE1606
- **品牌**: VBsemi
- **參數(shù)**:
- 封裝: TO252
- 溝道類(lèi)型: N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 額定電流: 110A
- 開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON)): 4.5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 門(mén)源極閾值電壓 (Vth): 2.8V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
IRFR1010ZTRPBF-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于多種電子應(yīng)用,特別在以下領(lǐng)域和對(duì)應(yīng)的模塊中表現(xiàn)卓越:
1. **電源模塊:**
由于其較高的額定電壓和電流承載能力,IRFR1010ZTRPBF-VB非常適用于電源模塊,包括直流電源和開(kāi)關(guān)電源。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:**
該器件的高電流特性使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的理想選擇,可用于各種電機(jī)控制應(yīng)用。
3. **電源逆變器:**
適用于電源逆變器,能夠在不同的電壓和頻率要求下提供可靠的性能。
4. **電動(dòng)工具:**
由于其高電流和低開(kāi)態(tài)電阻,可用于電動(dòng)工具,提供可靠的功率控制。
**使用注意事項(xiàng):**
- 請(qǐng)按照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中的最大額定值使用電壓和電流。
- 確保在指定的工作溫度范圍內(nèi)使用,以確保性能和可靠性。
- 謹(jǐn)慎設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng),確保器件在高負(fù)載條件下保持適當(dāng)?shù)墓ぷ鳒囟取?/p>
請(qǐng)注意,以上建議僅為參考,具體應(yīng)用需根據(jù)項(xiàng)目需求和設(shè)計(jì)要求進(jìn)行調(diào)整。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛