UT3419G-AE3-R-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

MOSFET

型號(hào)： UT3419G-AE3-R-VB

品牌： VBsemi(微碧)

UT3419G-AE3-R-VB.pdf

型號(hào)：UT3419G-AE3-R-VB
絲印：VB2290
品牌：VBsemi

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
- 溝道類(lèi)型：P溝道
- 額定電壓：-20V
- 最大電流：4A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V
- 閾值電壓(Vth)：-0.81V
- 封裝類(lèi)型：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
UT3419G-AE3-R-VB是一款P溝道MOSFET晶體管，適用于多種低電壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是一些潛在的應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 電源管理：UT3419G-AE3-R-VB可用于電源開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器和電源管理應(yīng)用，支持高效的電能傳輸和管理。

2. 電池保護(hù)：在電池管理系統(tǒng)中，該MOSFET可用于電池保護(hù)和充放電管理，確保電池的安全和性能。

3. 低壓斷路器：UT3419G-AE3-R-VB可用于低壓斷路器，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的快速切斷，用于電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用。

4. 電源逆變器：該MOSFET可用于電源逆變器，將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源，適用于太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)。

5. 信號(hào)開(kāi)關(guān)：在各種信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，UT3419G-AE3-R-VB可以用于控制信號(hào)通斷，用于通信設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)。

總之，UT3419G-AE3-R-VB是一款低壓P溝道MOSFET晶體管，適用于多種低電壓、低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用，提供卓越的性能和可靠性。它在電源管理、電池管理、斷路器、逆變器和信號(hào)開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。