--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO263封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):IRF5305SPBF-VB
絲印:VBL2658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大持續(xù)電流:-30A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1V 到 -3V
- 封裝:TO263
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
IRF5305SPBF-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,具有-60V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-30A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為 58mΩ @ 10V 和 70mΩ @ 4.5V。閾值電壓 (Vth) 的范圍為-1V 到 -3V。

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
IRF5305SPBF-VB 通常用于電源管理、電源開(kāi)關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。TO263 封裝使其易于集成到各種電子設(shè)備和電路中。這種型號(hào)的 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,可提供卓越的性能和高效率,適用于需要高功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用,如電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路等。其閾值電壓范圍的靈活性使其適用于多種電路設(shè)計(jì),可以在不同的電壓條件下提供可靠的性能。
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