型號：AP6679GM-VB
絲印：VBA2309
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大連續電流：-11A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：-1.5V
- 封裝類型：SOP8
應用簡介：
AP6679GM-VB是一款P溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于負電壓電源開關和電路中的功率開關應用。以下是一些可能的應用領域：
1. 電源開關：P溝道MOSFET通常用于負電壓電源開關，可以用于反向電源保護，例如電池電源開關和電源逆變器。
2. DC-DC轉換器：它可以用于直流到直流（DC-DC）轉換器中，將電壓降低或升高，以適應特定電子設備的需求。
3. 負電壓電路：適用于負電壓電路中，如負電壓電源管理、電壓反轉器和負電壓逆變器。
4. 電池保護：P溝道MOSFET可以用于電池電路中，以實現電池的充電和保護功能。
5. 負電壓電源控制：適用于負電壓電源控制，如負電壓直流電源控制、電源切斷等。
總之，AP6679GM-VB MOSFET適用于需要P溝道MOSFET的負電壓電源開關和負電壓電路中的應用。這種組件有助于實現負電壓電源的控制和保護，適用于各種模塊和電路，以滿足不同負電壓電源需求。
