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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SPP6507S26RGB-VB一款2個P溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析

型號: SPP6507S26RGB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: SPP6507S26RGB-VB
絲印: VB4290
品牌: VBsemi
參數: 2個P溝道, -20V, -4A, RDS(ON) 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -1.2~-2.2Vth (V)
封裝: SOT23-6

詳細參數說明和應用簡介:
1. 溝道類型:2個P溝道
  - 這表示這是一對P溝道MOSFET,P溝道MOSFET通常用于電源開關和功率管理應用,其中需要控制正電壓電源。

2. 額定電壓 (VDS):-20V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大負電壓,表示它適用于需要處理負電壓的電路。

3. 額定電流 (ID):-4A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的最大負電流負載。

4. 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導通狀態下的電阻。在4.5V的情況下,它的電阻為75mΩ,而在2.5V的情況下為100mΩ。這表明在導通狀態下,它的電阻相對低,能夠有效地減小功耗和熱量。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):12V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負12V。柵源電壓用來控制MOSFET的導通和截止狀態。

6. 閾值電壓范圍 (Vth):-1.2V 至 -2.2V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓范圍,表示需要應用在柵極上的電壓,以使器件開始導通。在這種情況下,閾值電壓范圍為-1.2V至-2.2V。

應用簡介:
這種型號的P溝道MOSFET通常用于各種電源管理和開關應用,包括但不限于以下領域和模塊:

1. 電源開關:這種MOSFET可用于電源開關模塊,例如DC-DC轉換器,以實現高效的電能轉換。
2. 電池管理:它可用于電池保護電路,以控制電池充放電和防止過放電。
3. 電源逆變器:在太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)中,P溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 電源選擇和開關:它可以用于電源選擇器和電源開關,以在不同電源之間切換。

總之,這種型號的P溝道MOSFET適用于多種領域的電子設備和模塊,以滿足功率開關和電源管理的需求,特別是需要處理負電壓的應用。

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