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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK7675-55A-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): BUK7675-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):BUK7675-55A-VB
絲?。篤BL1632
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 額定電壓(Vds):60V
- 最大持續(xù)電流(Id):40A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負(fù))
- 閾值電壓(Vth):1.9V
- 封裝:TO263

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
BUK7675-55A-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子應(yīng)用。它在電源開關(guān)、電機(jī)控制、電池管理等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **類型**:這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。

2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對(duì)高電壓條件下工作。

3. **最大持續(xù)電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使其能夠處理高電流負(fù)載。

4. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為23mΩ,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗非常低。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為1.9V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7. **封裝**:這款MOSFET采用TO263封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域:
BUK7675-55A-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊:

1. **電源開關(guān)**:可用于高電流電源開關(guān),如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。

2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機(jī)。

3. **電池管理**:可用于電池充電和放電管理,以確保安全和高效的電池使用。

4. **高電流負(fù)載開關(guān)**:用于高電流負(fù)載的通斷控制,如電動(dòng)工具、電焊機(jī)和電動(dòng)車輛。

5. **電源管理**:在需要高電流開關(guān)和電流控制的電源管理電路中使用,如工業(yè)控制系統(tǒng)。

總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻的電子模塊和設(shè)備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和高電流應(yīng)用中。
 

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