--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 P溝道
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): FDS4685-NL-VB
絲印: VBA2412
品牌: VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 額定電壓:-40V
- 額定電流:-11A
- 導(dǎo)通電阻:13mΩ@10V,17mΩ@4.5V
- 靜態(tài)電壓:-20Vgs至+20Vgs
- 閾值電壓:-1.7Vth(V)
- 封裝類型:SOP8
詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- P溝道:FDS4685-NL-VB是一種P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。P溝道是指溝道區(qū)的材料為P型半導(dǎo)體。在此類型的晶體管中,電子會(huì)從源極進(jìn)入P溝道,通過(guò)柵極控制電流的流動(dòng)。
- 額定電壓:FDS4685-NL-VB的額定電壓為-40V,即晶體管可承受的最高電壓為40V。
- 額定電流:FDS4685-NL-VB的額定電流為-11A,即晶體管可承受的最大電流為11A。
- 導(dǎo)通電阻:FDS4685-NL-VB在10V下的導(dǎo)通電阻為13mΩ,在4.5V下的導(dǎo)通電阻為17mΩ。導(dǎo)通電阻是指在導(dǎo)通狀態(tài)下,溝道兩端電壓為指定值時(shí),晶體管產(chǎn)生的電阻。
- 靜態(tài)電壓:FDS4685-NL-VB的靜態(tài)電壓范圍為-20Vgs至+20Vgs。靜態(tài)電壓是指在沒(méi)有輸入信號(hào)的情況下,控制電極與溝道之間的電壓。
- 閾值電壓:FDS4685-NL-VB的閾值電壓為-1.7Vth(V)。閾值電壓是指控制電極與溝道之間的電壓達(dá)到多少時(shí),晶體管開始導(dǎo)通。
- 封裝類型:FDS4685-NL-VB采用SOP8封裝,即表面貼裝封裝,具有8個(gè)引腳的封裝結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
FDS4685-NL-VB晶體管主要用于以下領(lǐng)域模塊:
1. 電源模塊:由于FDS4685-NL-VB具有較高的額定電壓和電流,低的導(dǎo)通電阻和靜態(tài)電壓范圍,適合用于設(shè)計(jì)和控制電源模塊。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:FDS4685-NL-VB能夠承受較高的電流,適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制。
3. 轉(zhuǎn)換器模塊:FDS4685-NL-VB具有較高的額定電壓和較低的導(dǎo)通電阻,適合用于設(shè)計(jì)和控制轉(zhuǎn)換器模塊,實(shí)現(xiàn)直流電到交流電或者不同交流電壓之間的轉(zhuǎn)換。
4. 電源開關(guān)模塊:由于FDS4685-NL-VB具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的額定電壓和電流,適合用于設(shè)計(jì)和控制電源開關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)對(duì)電源的開關(guān)控制。
總結(jié):FDS4685-NL-VB晶體管是一種P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于電源模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊、轉(zhuǎn)換器模塊和電源開關(guān)模塊等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)和控制。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛