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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM1414-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET

型號: FLM1414-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM1414-6F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IA

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1414-6F 

型號簡介
Sumitomo的FLM1414-6F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。

 

型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM1414-6F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IA


型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB B37.5dBm(類型)
高增益:G1dB B6.5dB(類型)
高PAE:η加p26%(類型)
低IM3=-46dbc@po=26.5dBm(類型)
寬帶:14.0至14.5GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?
密封


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