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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM1011-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET

型號: FLM1011-8F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM1011-8F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1011-8F

型號簡介
Sumitomo的FLM1011-8F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配提供最佳功率和增益的標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶在50歐姆的系統(tǒng)中。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM1011-8F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IB
 

型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB39.0dBm(型號)
高增益:G1dB B7.0dB(類型)
高PAE:η加p29%(類型)
低IM3=-46dbc@po=28.5dBm
寬帶:10.7至11.7GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?
密封


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