FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET

FET

型號： FLM1011-12F/101

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLM1011-12F/101
名稱 IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
產(chǎn)地日本
封裝 lB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLM1011-12F是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標準通信頻帶，以在50歐姆系統(tǒng)Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLM1011-12F/101
名稱 IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
產(chǎn)地日本
封裝 lB

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB B40.5dBm（型號）
高增益：G1dB B6.0dB（類型）
高PAE：η加p25%（類型）
低IM3=-45dbc@po=29.5dBm
寬帶：10.7至11.7GHz
阻抗匹配鋅/鹽，50?
密封

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