型號簡介
Sumitomo的TC1202是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達30 GHz的電路，適用于低噪聲應(yīng)用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試確保始終如一的質(zhì)量。所有焊盤均鍍金，用于熱壓或熱聲波導(dǎo)線粘合。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號 TC1202P0710
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz照片放大時的典型值
高相關(guān)增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試
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