--- 產品參數 ---
- 溝道 P
- 封裝 SOT23-6
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
VBsemi推出了FDC5614P型號的MOS管,其絲印型號為VB8658。這款MOS管是P溝道晶體管,具有優秀的性能參數。最大工作電壓為-60V,最大工作電流為-6.5A。導通狀態下的導通電阻(RDS(ON))分別為50mΩ @ 10V和60mΩ @ 4.5V。此外,該產品支持20Vgs(±V)的驅動電壓范圍,其閾值電壓范圍為-1~-3V。

FDC5614P MOS管采用緊湊的SOT23-6封裝,為各種電路設計提供了高度的靈活性和集成性。它在多個領域都具有廣泛的應用。在電源管理、電池充放電管理和電流驅動等領域,FDC5614P MOS管可以發揮其優越的電性能,實現高效能源轉換。在DC-DC轉換器模塊中,該產品可用于電壓變換和功率放大。此外,在電動工具和家用電器中,它可以用于電流驅動和電源管理功能。
總之,FDC5614P MOS管是VBsemi為滿足不同領域需求而推出的高品質產品。其在電源管理、電池充放電管理、DC-DC轉換器以及電動工具和家用電器等領域的應用,為各種模塊的設計提供了高效可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12