--- 產品參數 ---
- 額定電壓 20V
- 額定電流 4A
- 開態電阻 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ
- 門源電壓范圍 12Vgs (±V)
- 閾值電壓范圍 1~3Vth (V)
- 封裝 SC70-3
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 SI1308EDL-VB
絲印 VBK1270
品牌 VBsemi
參數
N溝道
額定電壓 20V
額定電流 4A
開態電阻 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V
門源電壓范圍 12Vgs (±V)
閾值電壓范圍 1~3Vth (V)
封裝 SC70-3
詳細參數說明
N溝道 這是一個N溝道MOSFET。N溝道MOSFET是一種場效應晶體管,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于各種功率應用。
額定電壓 該器件的額定電壓為20V,意味著在正常工作條件下,其電壓不應超過20V。
額定電流 該器件的額定電流為4A,意味著它可以承受最高4A的電流。
開態電阻 該器件的開態電阻是指在不同電壓下的導通狀態下的電阻值。它具有很低的開態電阻,分別為45mΩ @ 10V,49mΩ @ 4.5V和60mΩ @ 2.5V,意味著它可以減小功耗和發熱。
門源電壓范圍 該器件的門源電壓范圍為12Vgs (±V),這意味著在操作時,其門電極與源電極之間的電壓應在12Vgs (±V)范圍內。
閾值電壓范圍 該器件的閾值電壓范圍為1~3Vth (V),這是指當其門源電壓超過或低于1~3Vth (V)范圍時,其導通狀態將改變。
封裝 該器件封裝為SC70-3,這是一種小型封裝,通常用于需要高密度組件的應用。
應用簡介
SI1308EDL-VB主要用于以下領域模塊
1. 電源管理模塊 由于SI1308EDL-VB具有低導通電阻和能夠承受較高電流的能力,它適用于電源管理模塊中的功率開關和電流控制應用。
2. DC-DC轉換器 SI1308EDL-VB可以用于DC-DC轉換器中的開關元件,以實現高效的電能轉換。
3. 逆變器 逆變器用于將直流電轉換為交流電。SI1308EDL-VB的高導通電流和低導通電阻使其適用于逆變器中的開關元件。
4. 電機驅動器 SI1308EDL-VB的高電流承受能力使其非常適合用于電機驅動器中的開關元件。
總結 SI1308EDL-VB是一款N溝道MOSFET,適用于電源管理模塊、DC-DC轉換器、逆變器和電機驅動器等領域模塊,具有低導通電阻、高電流承受能力和高效的電能轉換能力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12