--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 工作電壓 -30V
- 工作電流 -6A
- 導(dǎo)通電阻 40mΩ
- 導(dǎo)通電阻 54mΩ
- 門源電壓 ±20V
- 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SI9435BDY-T1-E3-VB
絲印 VBA2333
品牌 VBsemi
參數(shù)
P溝道
工作電壓 -30V
工作電流 -6A
導(dǎo)通電阻 40mΩ(在10V下)
導(dǎo)通電阻 54mΩ(在4.5V下)
門源電壓 ±20V
閾值電壓 -1.5V
封裝 SOP8
詳細(xì)參數(shù)說明
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于負(fù)責(zé)在特定應(yīng)用中控制電流的關(guān)鍵元件。該器件的工作電壓范圍為-30V,工作電流可達(dá)-6A。在10V下,其導(dǎo)通電阻為40mΩ;在4.5V下,其導(dǎo)通電阻為54mΩ。門源電壓范圍為±20V,閾值電壓為-1.5V。器件封裝為SOP8。
應(yīng)用簡介
SI9435BDY-T1-E3-VB常用于各種電子設(shè)備和模塊中的開關(guān)電路、功率放大電路等場合,以實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于要求高效能和響應(yīng)速度的應(yīng)用場景。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于
1. 電源管理 該MOSFET可用于電力轉(zhuǎn)換、開關(guān)模式電源和電源控制器中的功率開關(guān)電路。
2. 電子調(diào)光 可應(yīng)用在LED照明設(shè)備、背光模塊、觸摸開關(guān)等場合,實(shí)現(xiàn)對燈光亮度的調(diào)節(jié)和控制。
3. 電荷控制 可用于電池充電和放電保護(hù)電路、USB充電器等場合,對電流進(jìn)行準(zhǔn)確的控制和管理。
4. 電機(jī)驅(qū)動 適用于電動工具、無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等電機(jī)控制電路中,實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的高效驅(qū)動。
總結(jié)
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性,可適用于多個領(lǐng)域的功率開關(guān)電路、電源管理、電子調(diào)光和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它