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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI9435BDY-T1-E3-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET

型號: SI9435BDY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 P溝道
  • 工作電壓 -30V
  • 工作電流 -6A
  • 導(dǎo)通電阻 40mΩ
  • 導(dǎo)通電阻 54mΩ
  • 門源電壓 ±20V
  • 封裝 SOP8

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號   SI9435BDY-T1-E3-VB
絲印   VBA2333
品牌  VBsemi

參數(shù)  
 P溝道
 工作電壓  -30V
 工作電流  -6A
 導(dǎo)通電阻  40mΩ(在10V下)
 導(dǎo)通電阻  54mΩ(在4.5V下)
 門源電壓  ±20V
 閾值電壓  -1.5V
 封裝  SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明  
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于負(fù)責(zé)在特定應(yīng)用中控制電流的關(guān)鍵元件。該器件的工作電壓范圍為-30V,工作電流可達(dá)-6A。在10V下,其導(dǎo)通電阻為40mΩ;在4.5V下,其導(dǎo)通電阻為54mΩ。門源電壓范圍為±20V,閾值電壓為-1.5V。器件封裝為SOP8。

應(yīng)用簡介  
SI9435BDY-T1-E3-VB常用于各種電子設(shè)備和模塊中的開關(guān)電路、功率放大電路等場合,以實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于要求高效能和響應(yīng)速度的應(yīng)用場景。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于  

1. 電源管理  該MOSFET可用于電力轉(zhuǎn)換、開關(guān)模式電源和電源控制器中的功率開關(guān)電路。
2. 電子調(diào)光  可應(yīng)用在LED照明設(shè)備、背光模塊、觸摸開關(guān)等場合,實(shí)現(xiàn)對燈光亮度的調(diào)節(jié)和控制。
3. 電荷控制  可用于電池充電和放電保護(hù)電路、USB充電器等場合,對電流進(jìn)行準(zhǔn)確的控制和管理。
4. 電機(jī)驅(qū)動  適用于電動工具、無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等電機(jī)控制電路中,實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的高效驅(qū)動。

總結(jié)  
SI9435BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性,可適用于多個領(lǐng)域的功率開關(guān)電路、電源管理、電子調(diào)光和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景。

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