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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STD30NF04LT-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號: STD30NF04LT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 類型 N溝道
  • 額定電壓 40V
  • 最大持續電流 50A
  • 導通電阻 12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓范圍 20V(正負)
  • 閾值電壓(Vth 1.78V
  • 封裝 TO252

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號  STD30NF04LT-VB
絲印  VBE1410
品牌  VBsemi
參數  
 類型  N溝道
 額定電壓(Vds)  40V
 最大持續電流(Id)  50A
 導通電阻(RDS(ON))  12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負)
 閾值電壓(Vth)  1.78V
 封裝  TO252

應用簡介  
STD30NF04LT-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),具有低導通電阻和高電流承受能力。它適用于多種應用領域,特別是需要高電流開關和電源控制的應用。

詳細參數說明  
1. **類型**  這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET常用于開關和調節電路中。

2. **額定電壓(Vds)**  它可以承受的最大漏極-源極電壓為40V。這表示在正常工作條件下,其電壓應不超過40V。

3. **最大持續電流(Id)**  這款MOSFET的最大電流承受能力為50A。它可以處理高電流負載。

4. **導通電阻(RDS(ON))**  RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為12mΩ,而在4.5V下為14mΩ。低導通電阻表示它可以在導通狀態下產生較少的功耗。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**  MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至少20V的電壓來控制它的導通狀態。

6. **閾值電壓(Vth)**  MOSFET的閾值電壓為1.78V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7. **封裝**  這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的封裝類型,方便在電路板上安裝和連接。

應用領域  
STD30NF04LT-VB這種高性能N溝道MOSFET可以用于多種應用,包括但不限于以下領域  

1. **電源供應器**  它可以用于開關電源和線性電源,幫助實現電壓轉換和電流控制。

2. **電機控制**  在電機驅動器中,它可以用于控制電機的速度和方向。

3. **照明控制**  在LED照明系統中,它可以用于開關和調光控制。

4. **電池管理**  在充電和放電電路中,它可以用于電池保護和電流管理。

5. **工業自動化**  用于控制和監控工業設備和機器。

總之,這款MOSFET適用于需要高電流和低導通電阻的電子電路應用,并廣泛用于工業、電子、通信和電源領域的模塊和設備中。

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