型號 NTD25P03LG-VB
絲印 VBE2338
品牌 VBsemi
參數
P溝道
-30V電壓
-26A電流
RDS(ON) 33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
20Vgs(±V)閾值電壓
-1.3Vth(V)閾值電壓
TO252封裝
該型號的詳細參數說明
類型 N溝道P-MOSFET
最大漏源電壓（VDS） -30V
最大漏源電流（ID） -26A
導通電阻（RDS(ON)） 33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
門源閾值電壓（Vgs(th)） -1.3V
最大門源電壓（Vgs） ±20V
封裝類型 TO252
該產品適用于以下領域模塊
電源管理系統
自動控制系統
電動汽車系統
工業自動化控制系統
LED照明系統等
這些溝道P-MOSFET可以用于電源開關、電機驅動、電源逆變器、充放電電路等應用。它們在需要高效能和低電阻的場合提供了可靠的功率開關功能。通過改變門源電壓控制電阻，它們可以實現高效的電源管理和電路控制。
