型號 IPD78CN10N G絲印 VBE1106N品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 25A 開通電阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V 額定柵極源極電壓（Vgs） 20V (±V) 閾值電壓（Vth） 1.4V 封裝類型 TO252應用簡介 IPD78CN10N G是一款N溝道MOSFET，具有高電壓和高電流能力，適用于各種領域的模塊應用。其特點包括低導通電阻、高開關速度和可靠性。主要應用領域 1. 照明模塊 IPD78CN10N G可應用于LED照明模塊中的電源管理和驅動控制。其高電壓和高電流能力使其能夠提供可靠的功率開關和精確的照明調節。2. 功率轉換 由于IPD78CN10N G具有較低的導通電阻和高開關速度，可以應用于功率轉換模塊中的DCDC轉換器和逆變器。它能夠提供高效的能量轉換和穩定的電源輸出。3. 電動車輛 IPD78CN10N G適用于電動車輛中的電源管理和驅動控制模塊。其高電壓和低導通電阻能夠提供高效的功率傳輸和穩定的電動車輛運行。4. 工業自動化 在工業自動化領域，IPD78CN10N G可用于電機控制、傳感器接口和數據采集模塊。其高電流能力和低導通電阻能夠提供穩定的信號處理和精確的控制功能。綜上所述，IPD78CN10N G適用于照明模塊、功率轉換、電動車輛和工業自動化等領域的模塊應用。它具有高電壓、高電流能力和低導通電阻，能夠滿足各種應用需求，并提供高效的功率開關和電流控制。
--- 產品參數 ---
- 極性 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 25A
- RDS(ON) 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5v
- 額定柵極源極電壓 20V (±V)
- 閾值電壓（Vth） 1.4V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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