--- 產品參數 ---
- 類型 2個P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 5.3A
- 導通電阻 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1~3Vth
- 封裝 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 ZXMP6A18DN8TA絲印 VBA4658品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 5.3A 導通電阻 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1~3Vth 封裝 SOP8應用簡介 ZXMP6A18DN8TA 是一款具有兩個 P 溝道 MOSFET 的器件,適用于需要同時控制兩個 P 溝道 MOSFET 的應用。其最大耐壓為60V,最大電流為5.3A,具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計,主要包括但不限于 1. 電源管理模塊 適用于需要同時控制兩個 P 溝道 MOSFET 的電源開關和逆變器等。2. 電動工具 可用于電動工具中的電源開關和負載開關。3. 電動車輛 適用于電動車輛中的電源控制和驅動系統。總之,ZXMP6A18DN8TA 適用于需要同時控制兩個 P 溝道 MOSFET 的應用領域的模塊設計,主要用于電源管理、電動工具和電動車輛等。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12