型號 IRFL210TRPBF絲印 VBJ1201K品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 200V 額定電流(ID) 1A 開通電阻(RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 2~4V 封裝類型 SOT223應(yīng)用簡介 這款I(lǐng)RFL210TRPBF MOSFET是一款高電壓N溝道MOSFET，適用于高壓應(yīng)用場景。它具有較高的額定電壓和適中的額定電流能力，適用于低功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電源管理模塊 適用于高壓開關(guān)電源、DCDC變換器、逆變器等低功率電源模塊。 工業(yè)自動化模塊 適用于高壓工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)和控制模塊。 汽車電子模塊 適用于汽車電池管理、照明控制、電動車控制等低功率汽車電子模塊。 通信設(shè)備模塊 適用于高壓高功率通信設(shè)備中的功率放大和開關(guān)模塊。總之，IRFL210TRPBF MOSFET適用于需要高電壓N溝道MOSFET進行低功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的各種應(yīng)用場景，提供穩(wěn)定可靠的電流控制和低功率轉(zhuǎn)換功能，特別適用于低功率應(yīng)用的模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓(VDS) 200V
- 額定電流(ID) 1A
- (RDS(ON)) 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 2~4V
- 封裝類型 SOT223
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu)，同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件，不再是簡單的備選方案，而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBM1201M脫穎而出，它 -
VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
