型號 SI4920DYT1E3絲印 VBA3316品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 8.5A 導通電阻 20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 SI4920DYT1E3是一款具有兩個N溝道MOSFET的器件，適用于需要同時控制多個N溝道MOSFET的應用。其最大耐壓為30V，最大電流為8.5A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于需要同時控制多個N溝道MOSFET的電源開關和逆變器等。2. 電動工具 可用于電動工具中的負載開關和電源控制。3. 汽車電子模塊 適用于汽車電子系統中的負載開關和電源控制。總之，SI4920DYT1E3適用于需要同時控制多個N溝道MOSFET的應用領域的模塊設計，包括電源管理、電動工具和汽車電子模塊等。
--- 產品參數 ---
- 類型 2個N溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 8.5A
- 導通電阻 20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V
- 門閾電壓 1.5Vth
- 封裝 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
