型號 SI2307DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V 額定電流(ID) 5.6A 開通電阻(RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 1V 封裝類型 SOT23應用簡介 這款SI2307DST1GE3 MOSFET是一款低壓P溝道MOSFET，適用于低壓應用場景。它具有較低的額定電壓和額定電流，適用于低功率開關和功率轉換的應用。這款MOSFET可以廣泛應用于以下領域的模塊 電源管理模塊 用于低壓開關電源、DCDC變換器、逆變器等低功率電源模塊。 電池管理模塊 用于低壓電池充放電保護、電池管理系統等低功率電池應用。 小功率開關模塊 用于低壓開關電路、低功率開關控制等低功率應用。 消費電子模塊 用于低壓低功率的消費電子產品中的功率管理和開關模塊。總之，SI2307DST1GE3 MOSFET適用于需要低壓低功率P溝道MOSFET的各種應用場景，提供穩定可靠的電流控制和低功率轉換功能，特別適用于低壓低功率應用的模塊。
--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓(VDS) 30V
- 額定電流(ID) 5.6A
- (RDS(ON)) 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 閾值電壓(Vth) 1V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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