型號 SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 SQ9945BEYT1GE3是一款具有雙N溝道MOSFET的器件，適用于需要同時控制多個N溝道MOSFET的應用。其最大耐壓為60V，最大電流為6A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 可用于DCDC變換器、穩壓器和電源開關等。2. 高效逆變器模塊 適用于太陽能逆變器、UPS電源和電動車充電器等。3. 電機驅動模塊 可用于驅動大功率電機和步進電機等。總之，SQ9945BEYT1GE3適用于需要同時控制多個N溝道MOSFET的高功率應用領域的模塊設計，包括電源管理、逆變器和電機驅動模塊等。
--- 產品參數 ---
- 類型 2個N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 6A
- 導通電阻 27mΩ @10V, 32mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.5Vth
- 封裝 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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