產(chǎn)品簡介
DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動 N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動器。浮動高側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達 50V。
DGD05473 邏輯輸入與標準 TTL 和 CMOS 電平（低至 3.3V）兼容，可輕松與 MCU 連接。高側(cè)和低側(cè)的 UVLO 可在電源丟失時保護 MOSFET。為了保護 MOSFET，跨導預防邏輯可防止 HO 和 LO 輸出同時打開。
快速且匹配良好的傳播延遲可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而使用更小的相關(guān)組件實現(xiàn)更小、更緊湊的電源開關(guān)設計。為了最大限度地減少空間，內(nèi)置了一個內(nèi)部自舉二極管。DGD05473 采用 U-DFN3030-10 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DGD05473FNQ
名稱                    高頻高側(cè) 低側(cè)柵極 驅(qū)動器
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    U-DFN3030-10

產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 50 V
Inputs HIN, LIN, EN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 20 ns
tOFF (Typ) (ns) 23 ns
tR (Typ) (ns) 16 ns
tF (Typ) (ns) 12 ns

主要特征
50V 浮動高側(cè)驅(qū)動器
以半橋配置驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
1.5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內(nèi)部自舉二極管 ?
用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定
延遲匹配最大值為 5ns
傳播延遲典型值為 20ns
邏輯輸入（HIN、LIN 和 EN）3.3V 能力
超低待機電流 (<1μA)
擴展溫度范圍：-40°C 至 +125°C
完全領(lǐng)先-不含且完全符合 RoHS 標準（注釋 1 和 2）
不含鹵素和銻。“綠色”器件（注 3）
符合 AEC-Q100 高可靠性標準
支持 PPAP（注 4）

相關(guān)型號
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