產品簡介
DIODES 的DXTN10060DFJBQ這款采用先進的工藝能力來最大限度地提高這款 60V、NPN 晶體管的性能。U-DFN2020-3（B 型）封裝外形更小，降額高達 +175°C，可為功率密度至關重要的應用提供更高的耗散。

產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DXTN10060DFJBQ
名稱                    60V NPN 低飽和 晶體管
產地                    臺灣
封裝                    U-DFN2020-3 (Type B)

產品參數
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4
ICM (A) 6
PD (W) 1.8
hFE (Min) 340
hFE (@ IC) (A) 0.2
hFE(Min 2) 140
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 60

主要特征
BVCEO > 60V
IC = 4A 連續集電極電流
低飽和電壓（最大 100mV @1A）
RSAT = 60mΩ，可實現低等效導通電阻
hFE 指定高達 6A，可實現高電流增益保持
更嚴格的增益規格
適用于薄型應用的薄型 0.6mm 高封裝
RθJA 效率比 SOT23 低 60%
4mm2 占地面積，比 SOT23 小 50%
額定溫度 +175°C – 高溫環境的理想選擇

相關型號
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