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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXMN10A08G 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): ZXMN10A08G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN10A08G
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223 (Type DN)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN10A08G 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN10A08G 這款新一代溝槽 MOSFET 具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu),結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的優(yōu)點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN10A08G
名稱                    100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223 (Type DN)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 250 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300 (@6V) mΩ
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.2 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.7 nC
CISS Typ (pF) 405 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度
低閾值


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