產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH8008LFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH8008LFG
名稱 80V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 70 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6.9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 18.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37.7 nC
CISS Typ (pF) 2254 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Qgd × RDS(ON) 產(chǎn)品 (FOM)
DC-DC 轉(zhuǎn)換器的先進(jìn)技術(shù)
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
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