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DMTH6004SCTB 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH6004SCTB

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH6004SCTB
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 TO263AB

--- 產品詳情 ---

DMTH6004SCTB 

產品簡介
DIODES 的 DMTH6004SCTB 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH6004SCTB
名稱                    60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                    臺灣
封裝                     TO263AB


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 4.7 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.4 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 95.4 nC
CISS Typ (pF) 4556 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩健的最終應用
低 R DSON – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開關損耗


相關型號
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