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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH3004LPS 30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH3004LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH3004LPS
  • 名稱 30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH3004LPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH3004LPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH3004LPS
名稱                  30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  POWERDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20, 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 22 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 145 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
PD @TC = +25°C (W) 136 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 43.7 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Q GD x R DS(ON)產(chǎn)品 (FOM)
DC-DC 轉(zhuǎn)換器的先進技術(shù)
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更高的可靠性


相關(guān)型號
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