--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMTH10H2M5STLW
- 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 POWERDI®1012-8 (TOLL)
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少(R DS(ON) ), 同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合用于電源管理和負載開關。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMTH10H2M5STLW
名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 POWERDI?1012-8 (TOLL)
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 248 A
PD @TA = +25°C (W) 5.8 W
PD @TC = +25°C (W) 230.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124.4 nC
CISS Typ (pF) 8450 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試
高轉換效率
低 (R DS(ON) ) – 最大限度地減少狀態損失
用于改進光學檢測的可潤濕側面
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