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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT8012LFG N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMT8012LFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT8012LFG
  • 名稱 80V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT8012LFG  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT8012LFG 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通 電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān) 性能,使其成為高效電源管理 應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT8012LFG
名稱                  80V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 35 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 30 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1949 pF


主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
出色的Qgd x RDS(ON)產(chǎn)品(FOM)
DC/DC轉(zhuǎn)換器的先進(jìn)技術(shù)
體積小、熱效率高的封裝
密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產(chǎn)品
100%UIS(雪崩)評級


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