產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMPH6050SPDQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，由 PPAP 支持，非常適合用于：發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)、車(chē)身控制電子設(shè)備和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMPH6050SPDQ
名稱(chēng) 175°C 60V 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI5060-8 (Type C)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 30.6 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 非常適合高環(huán)境溫度環(huán)境
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 R DS(ON) – 最大限度地減少功率損耗
低 Q g – 最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗
相關(guān)型號(hào)
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