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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMPH4029LFGQ 175°C 40V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMPH4029LFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMPH4029LFGQ
  • 名稱 175°C 40V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH4029LFGQ  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMPH4029LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),受 PPAP 支持,非常適合用于:背光、電源管理功能和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMPH4029LFGQ
名稱                  175°C 40V  P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺灣
封裝                   PowerDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Condition @|VDS| (V)


主要特征
額定溫度為 +175°C——高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān)測試 —
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 R DS(ON) —確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品

 

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