產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP26M7UFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻（RDS（ON））并保持卓越的開關(guān)性能，使其非常適合高效率電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP26M7UFG
名稱 20VP 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 POWERDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 75 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 156 nC
CISS Typ (pF) 5940 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化狀態(tài)損耗
小尺寸熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
ESD HBM 保護(hù)高達(dá) 1KV
相關(guān)型號
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