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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP26M1UPS 20VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMP26M1UPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP26M1UPS
  • 名稱 20VP 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP26M1UPS  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP26M1UPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP26M1UPS
名稱                  20VP  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.76 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 75 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 5392 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 — 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇


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